DMN2010UDZ-7

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Spezifikation

Artikelnummer

DMN2010UDZ-7
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET 2N-CH 20V 11A U-DFN2535-6
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

DMN2010UDZ-7.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse

U-DFN2535-6
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

7 mOhm @ 5.5A, 4.5V
Leistung - max

700mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

6-UDFN Exposed Pad
Andere Namen

DMN2010UDZ-7-ND
DMN2010UDZ-7DITR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

20 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2665pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

33.2nC @ 4.5V
Typ FET

2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-Merkmal

Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)

24V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 24V 11A 700mW Surface Mount U-DFN2535-6
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

11A

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Das Folgende sind "DMN2010UDZ-7" -Einziper.

DMN2015UFDE-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN

Hersteller: Diodes Incorporated

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