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6213797DMN2011UFX-7-Bild.Diodes Incorporated

DMN2011UFX-7

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    DMN2011UFX-7
  • Hersteller / Marke
    Diodes Incorporated
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    DMN2011UFX-7.pdf
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Supplier Device-Gehäuse
    V-DFN2050-4
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    9.5 mOhm @ 10A, 4.5V
  • Leistung - max
    2.1W
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    4-VFDFN Exposed Pad
  • Andere Namen
    DMN2011UFX-7DITR
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    16 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    2248pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    56nC @ 10V
  • Typ FET
    2 N-Channel (Dual)
  • FET-Merkmal
    Standard
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    20V
  • detaillierte Beschreibung
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 12.2A (Ta) 2.1W Surface Mount V-DFN2050-4
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    12.2A (Ta)

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Das Folgende sind "DMN2011UFX-7" -Einziper.
DMN2016UTS-13

DMN2016UTS-13

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN2005UPS-13

DMN2005UPS-13

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN2011UFDE-7

DMN2011UFDE-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 11.7A UDFN2020-6

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN2016LFG-7

DMN2016LFG-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8UDFN

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN2008LFU-13

DMN2008LFU-13

Beschreibung: MOSFET 2NCH 20V 14.5A UDFN2030

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN2015UFDF-13

DMN2015UFDF-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 15.2A UDFN2020-6

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN2013UFDE-7

DMN2013UFDE-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN2011UFDF-7

DMN2011UFDF-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 14.2A UDFN2020-6

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN2013UFX-7

DMN2013UFX-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN2011UFDE-13

DMN2011UFDE-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 11.7A SOT323

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN2008LFU-7

DMN2008LFU-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CHA 20V 14.5A DFN2030

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN2011UFDF-13

DMN2011UFDF-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 14.2A UDFN2020-6

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN2014LHAB-7

DMN2014LHAB-7

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN2016LHAB-7

DMN2016LHAB-7

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN2011UTS-13

DMN2011UTS-13

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN2015UFDF-7

DMN2015UFDF-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 15.2A UDFN2020-6

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN2009LSS-13

DMN2009LSS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN2015UFDE-7

DMN2015UFDE-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN2005UFG-7

DMN2005UFG-7

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
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DMN2010UDZ-7

DMN2010UDZ-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 11A U-DFN2535-6

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ

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