3202076

DMN2005UFG-13

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig

$0.147

Anfrage online

Spezifikation

Artikelnummer

DMN2005UFG-13
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

DMN2005UFG-13.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PowerDI3333-8
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.6 mOhm @ 13.5A, 4.5V
Verlustleistung (max)

1.05W (Ta)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

8-PowerWDFN
Andere Namen

DMN2005UFG-13DICT
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

32 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6495pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

164nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 20V 18.1A (Tc) 1.05W (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

18.1A (Tc)

relevante Nachrichten
Versand
Zahlungsmittel

Wir haben langfristige Partnerschaften mit wichtigen globalen Logistikanbietern eingerichtet, die flexible und effiziente Versandlösungen anbieten, die auf Ihre einzigartigen Anforderungen zugeschnitten sind.Abhängig von der Größe, dem Gewicht und dem Ziel Ihrer Bestellung wählen wir den am besten geeigneten Versandunternehmen.Wir bieten auch Echtzeit-Logistikverfolgungsdienste an und ermöglichen es den Kunden, den Standort und den Status ihrer Waren jederzeit zu verstehen. Wenn Sie über bestimmte internationale Versandrouten oder einen bestimmten Spediteur verfügen, wenden Sie sich bitte an unser Verkaufsteam-wir berücksichtigen Ihre Anforderungen gerne.

Wir unterstützen mehrere Zahlungsmethoden, einschließlich Kreditkarten, Kabelübertragungen und andere Optionen, und akzeptieren die meisten Währungen.Für Bestellungen in USD sind zusätzliche Zahlungsoptionen verfügbar.Weitere Informationen zu Zahlungsmethoden und -verfahren erhalten Sie von unserem Verkaufsteam.

Das Folgende sind "DMN2005UFG-13" -Einziper.

DMN2011UFDE-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 11.7A SOT323

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN2005UFG-13

Online-Anfrage

Referenzpreis (in US-Dollar)

Institution: Die Produktionsschwierigkeit von HBM4 hat mit ...

Crusoe Texas Data Center sammelt Finanzmittel in Höhe von ...

Siemens erwirbt EDA Software Developer Excellicon

SEMICON Southeast Asia 2025 Kicks Off in Singapore

Die fünf großen NAND -Hersteller haben die Produktion gle...

Qualcomm wird mit einer neuen benutzerdefinierten CPU zum C...

SK Siltrons erstes Quartalumsatz von SK Hynix Silicon Wafer...

IPhone -Lieferant TDK bereitet sich darauf vor, Batterien f...

Südkorea wird einen KI -spezifischen Supercomputer bauen, ...

AMD 、 Saudi -Arabien plant, 10 Milliarden US -Dollar für ...

Die US -Regierung erwägt, Hunderttausende von Chips an die...

Tariff Suspension Offers Adjustment Window for the Electron...

Review (1)

Stal***e

Quick inquiry

Sprache auswählen

Aktuelle Sprache