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DMN2013UFX-7

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    DMN2013UFX-7
  • Hersteller / Marke
    Diodes Incorporated
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    DMN2013UFX-7.pdf
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1.1V @ 250µA
  • Supplier Device-Gehäuse
    W-DFN5020-6
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    11.5 mOhm @ 8.5A, 4.5V
  • Leistung - max
    2.14W
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    6-VFDFN Exposed Pad
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    20 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    2607pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    57.4nC @ 8V
  • Typ FET
    2 N-Channel (Dual) Common Drain
  • FET-Merkmal
    Standard
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    20V
  • detaillierte Beschreibung
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 10A (Ta) 2.14W Surface Mount W-DFN5020-6
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    10A (Ta)

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Das Folgende sind "DMN2013UFX-7" -Einziper.
DMN2013UFDE-7

DMN2013UFDE-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN2014LHAB-7

DMN2014LHAB-7

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN2008LFU-7

DMN2008LFU-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CHA 20V 14.5A DFN2030

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN2010UDZ-7

DMN2010UDZ-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 11A U-DFN2535-6

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN2020UFCL-7

DMN2020UFCL-7

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN2011UFDE-7

DMN2011UFDE-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 11.7A UDFN2020-6

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN2011UTS-13

DMN2011UTS-13

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN2016LHAB-7

DMN2016LHAB-7

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN2015UFDF-7

DMN2015UFDF-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 15.2A UDFN2020-6

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN2011UFDF-13

DMN2011UFDF-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 14.2A UDFN2020-6

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN2011UFX-7

DMN2011UFX-7

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN2009LSS-13

DMN2009LSS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN2016UTS-13

DMN2016UTS-13

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN2011UFDF-7

DMN2011UFDF-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 14.2A UDFN2020-6

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN2016LFG-7

DMN2016LFG-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8UDFN

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN2015UFDF-13

DMN2015UFDF-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 15.2A UDFN2020-6

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN2020LSN-7

DMN2020LSN-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 6.9A SC59

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN2015UFDE-7

DMN2015UFDE-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN2019UTS-13

DMN2019UTS-13

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN2011UFDE-13

DMN2011UFDE-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 11.7A SOT323

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
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