DMN2008LFU-7

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Spezifikation

Artikelnummer

DMN2008LFU-7
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET 2N-CHA 20V 14.5A DFN2030
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

DMN2008LFU-7.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250A
Supplier Device-Gehäuse

U-DFN2030-6 (Type B)
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.4 mOhm @ 5.5A, 4.5V
Leistung - max

1W
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

6-UFDFN Exposed Pad
Andere Namen

DMN2008LFU-7DITR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

16 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1418pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

42.3nC @ 10V
Typ FET

2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal

Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 14.5A 1W Surface Mount U-DFN2030-6 (Type B)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

14.5A

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Das Folgende sind "DMN2008LFU-7" -Einziper.

MKP1848580924P2

Beschreibung: CAP FILM 8UF 5% 1.2KVDC RADIAL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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Stal***e

2025/05/20

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