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1263687DMN2005DLP4K-7-Bild.Diodes Incorporated

DMN2005DLP4K-7

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    DMN2005DLP4K-7
  • Hersteller / Marke
    Diodes Incorporated
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET 2N-CH 20V 0.3A 6-DFN
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    DMN2005DLP4K-7.pdf
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    900mV @ 100µA
  • Supplier Device-Gehäuse
    X2-DFN1310-6
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.5 Ohm @ 10mA, 4V
  • Leistung - max
    400mW
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    6-SMD, No Lead
  • Andere Namen
    DMN2005DLP4KDICT
  • Betriebstemperatur
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    20 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    -
  • Typ FET
    2 N-Channel (Dual)
  • FET-Merkmal
    Standard
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    20V
  • detaillierte Beschreibung
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 300mA 400mW Surface Mount X2-DFN1310-6
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    300mA
  • Basisteilenummer
    DMN2005DLP4K

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Das Folgende sind "DMN2005DLP4K-7" -Einziper.
DMN2009LSS-13

DMN2009LSS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN2004WK-7

DMN2004WK-7

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN2010UDZ-7

DMN2010UDZ-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 11A U-DFN2535-6

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN2008LFU-13

DMN2008LFU-13

Beschreibung: MOSFET 2NCH 20V 14.5A UDFN2030

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN2004DWK-7

DMN2004DWK-7

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN2005LPK-7

DMN2005LPK-7

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN16M9UCA6-7

DMN16M9UCA6-7

Beschreibung: MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN2718-6

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN15H310SK3-13

DMN15H310SK3-13

Beschreibung: MOSFET NCH 150V 8.3A TO252

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN2004TK-7

DMN2004TK-7

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN2005UFG-7

DMN2005UFG-7

Beschreibung:

Hersteller: Diodes
vorrätig
RFQ
DMN2004DMK-7

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Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN2005UFG-13

DMN2005UFG-13

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN2004DWKQ-7

DMN2004DWKQ-7

Beschreibung: MOSFET 2NCH 20V 540MA SOT363

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN2008LFU-7

DMN2008LFU-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CHA 20V 14.5A DFN2030

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN2004VK-7

DMN2004VK-7

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN2004WKQ-7

DMN2004WKQ-7

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN2004K-7

DMN2004K-7

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN2005LP4K-7

DMN2005LP4K-7

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN2005K-7

DMN2005K-7

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
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DMN2005UPS-13

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Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
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