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DMN2005LP4K-7

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Spezifikation

Artikelnummer

DMN2005LP4K-7
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

DMN2005LP4K-7.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

900mV @ 100µA
Vgs (Max)

±10V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

X2-DFN1006-3
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.5 Ohm @ 10mA, 4V
Verlustleistung (max)

400mW (Ta)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

3-XFDFN
Andere Namen

DMN2005LP4KDICT
Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

20 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

41pF @ 3V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 20V 200mA (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount X2-DFN1006-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

200mA (Ta)

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DMN2005LPK-7

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated

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