DMN2011UTS-13

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Spezifikation

Artikelnummer

DMN2011UTS-13
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

DMN2011UTS-13.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

8-TSSOP
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

11 mOhm @ 7A, 4.5V
Verlustleistung (max)

1.3W (Ta)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Andere Namen

DMN2011UTS-13DICT
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

28 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2248pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

56nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 20V 21A (Tc) 1.3W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

21A (Tc)

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Das Folgende sind "DMN2011UTS-13" -Einziper.

DMN2013UFX-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN2011UTS-13

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