APTMC120HM17CT3AG

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Spezifikation

Artikelnummer

APTMC120HM17CT3AG
Hersteller / Marke

Microsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

POWER MODULE - SIC MOSFET
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

APTMC120HM17CT3AG.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 30mA
Supplier Device-Gehäuse

SP3
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

17 mOhm @ 100A, 20V
Leistung - max

750W
Verpackung / Gehäuse

Module
Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Chassis Mount
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5576pF @ 1000V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

332nC @ 5V
Typ FET

4 N-Channel
FET-Merkmal

Silicon Carbide (SiC)
Drain-Source-Spannung (Vdss)

1200V (1.2kV)
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 4 N-Channel 1200V (1.2kV) 147A (Tc) 750W Chassis Mount SP3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

147A (Tc)

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Das Folgende sind "APTMC120HM17CT3AG" -Einziper.

APTMC120TAM12CTPAG

Beschreibung: MOSFET 6N-CH 1200V 220A SP6P

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APTMC120HM17CT3AG

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