APTMC120AM09CT3AG

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Spezifikation

Artikelnummer

APTMC120AM09CT3AG
Hersteller / Marke

Microsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET 2N-CH 1200V 295A SP3F
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

APTMC120AM09CT3AG.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.4V @ 40mA (Typ)
Supplier Device-Gehäuse

SP3
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

9 mOhm @ 200A, 20V
Leistung - max

1250W
Verpackung

Bulk
Verpackung / Gehäuse

SP3
Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

32 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

11000pF @ 1000V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

644nC @ 20V
Typ FET

2 N Channel (Phase Leg)
FET-Merkmal

Silicon Carbide (SiC)
Drain-Source-Spannung (Vdss)

1200V (1.2kV)
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 N Channel (Phase Leg) 1200V (1.2kV) 295A (Tc) 1250W Chassis Mount SP3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

295A (Tc)

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Das Folgende sind "APTMC120AM09CT3AG" -Einziper.

APTM50UM19SG

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 163A J3

Hersteller: Microsemi

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