APTMC120AM08CD3AG

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Spezifikation

Artikelnummer

APTMC120AM08CD3AG
Hersteller / Marke

Microsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET 2N-CH 1200V 250A D3
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

APTMC120AM08CD3AG.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.2V @ 10mA (Typ)
Supplier Device-Gehäuse

D3
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

10 mOhm @ 200A, 20V
Leistung - max

1100W
Verpackung

Bulk
Verpackung / Gehäuse

D-3 Module
Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

32 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

9500pF @ 1000V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

490nC @ 20V
Typ FET

2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Merkmal

Silicon Carbide (SiC)
Drain-Source-Spannung (Vdss)

1200V (1.2kV)
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 250A (Tc) 1100W Chassis Mount D3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

250A (Tc)

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Das Folgende sind "APTMC120AM08CD3AG" -Einziper.

APTMC120AM55CT1AG

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 1200V 55A SP1

Hersteller: Microsemi

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