APTMC170AM30CT1AG

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Spezifikation

Artikelnummer

APTMC170AM30CT1AG
Hersteller / Marke

Microsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET 2N-CH 1700V 106A SP1
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

APTMC170AM30CT1AG.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.3V @ 5mA (Typ)
Supplier Device-Gehäuse

SP1
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

30 mOhm @ 100A, 20V
Leistung - max

700W
Verpackung

Bulk
Verpackung / Gehäuse

SP1
Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

32 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6160pF @ 1000V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

380nC @ 20V
Typ FET

2 N Channel (Phase Leg)
FET-Merkmal

Silicon Carbide (SiC)
Drain-Source-Spannung (Vdss)

1700V (1.7kV)
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 N Channel (Phase Leg) 1700V (1.7kV) 100A (Tc) 700W Chassis Mount SP1
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

100A (Tc)

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Das Folgende sind "APTMC170AM30CT1AG" -Einziper.

APTMC120HR11CT3AG

Beschreibung: POWER MODULE - SIC MOSFET

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APTMC170AM30CT1AG

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