APTMC120AM55CT1AG

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Spezifikation

Artikelnummer

APTMC120AM55CT1AG
Hersteller / Marke

Microsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET 2N-CH 1200V 55A SP1
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

APTMC120AM55CT1AG.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.2V @ 2mA (Typ)
Supplier Device-Gehäuse

SP1
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

49 mOhm @ 40A, 20V
Leistung - max

250W
Verpackung

Bulk
Verpackung / Gehäuse

SP1
Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

32 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1900pF @ 1000V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

98nC @ 20V
Typ FET

2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Merkmal

Silicon Carbide (SiC)
Drain-Source-Spannung (Vdss)

1200V (1.2kV)
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 55A (Tc) 250W Chassis Mount SP1
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

55A (Tc)

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Das Folgende sind "APTMC120AM55CT1AG" -Einziper.

APTMC120AM20CT1AG

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 1200V 143A SP1

Hersteller: Microsemi

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