APTM60H23FT1G

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Spezifikation

Artikelnummer

APTM60H23FT1G
Hersteller / Marke

Microsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET 4N-CH 600V 20A SP1
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.APTM60H23FT1G.pdf
2.APTM60H23FT1G.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 1mA
Supplier Device-Gehäuse

SP1
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

276 mOhm @ 17A, 10V
Leistung - max

208W
Verpackung

Bulk
Verpackung / Gehäuse

SP1
Andere Namen

APTM60H23UT1G
APTM60H23UT1G-ND
Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

32 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5316pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

165nC @ 10V
Typ FET

4 N-Channel (H-Bridge)
FET-Merkmal

Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)

600V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 600V 20A 208W Chassis Mount SP1
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

20A

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Das Folgende sind "APTM60H23FT1G" -Einziper.

APTM50UM13SAG

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 335A SP6

Hersteller: Microsemi

vorrätig

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