APTM50TDUM65PG

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Spezifikation

Artikelnummer

APTM50TDUM65PG
Hersteller / Marke

Microsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET 6N-CH 500V 51A SP6-P
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

APTM50TDUM65PG.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA
Supplier Device-Gehäuse

SP6-P
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

78 mOhm @ 25.5A, 10V
Leistung - max

390W
Verpackung

Bulk
Verpackung / Gehäuse

SP6
Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7000pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

140nC @ 10V
Typ FET

6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET-Merkmal

Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)

500V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 500V 51A 390W Chassis Mount SP6-P
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

51A

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Das Folgende sind "APTM50TDUM65PG" -Einziper.

APTM60A11FT1G

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 600V 40A SP1

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APTM50TDUM65PG

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