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APT8DQ60KCTG

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    APT8DQ60KCTG
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE ARRAY GP 600V 8A TO220
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    2.4V @ 8A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    600V
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-220 [K]
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    19ns
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-220-3
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 175°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • Diodenkonfiguration
    1 Pair Common Cathode
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 600V 8A Through Hole TO-220-3
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    25µA @ 600V
  • Strom - Richt (Io) (pro Diode)
    8A
APT95GR65B2

APT95GR65B2

Beschreibung: IGBT 650V 208A 892W T-MAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT84F50L

APT84F50L

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 84A TO-264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT84F50B2

APT84F50B2

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 84A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT8M100B

APT8M100B

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT94N60L2C3G

APT94N60L2C3G

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 94A TO264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT85GR120J

APT85GR120J

Beschreibung: IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT95GR65JDU60

APT95GR65JDU60

Beschreibung: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT85GR120L

APT85GR120L

Beschreibung: IGBT 1200V 170A 962W TO264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT84M50L

APT84M50L

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 84A TO-264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT8M80K

APT8M80K

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 8A TO-220

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT80SM120J

APT80SM120J

Beschreibung: POWER MOSFET - SIC

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT90DR160HJ

APT90DR160HJ

Beschreibung: DIODE MODULE 1.6V SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT9F100B

APT9F100B

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT97N65LC6

APT97N65LC6

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 97A TO-264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT85GR120B2

APT85GR120B2

Beschreibung: IGBT 1200V 170A 962W TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT80SM120S

APT80SM120S

Beschreibung: POWER MOSFET - SIC

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT94N65B2C6

APT94N65B2C6

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 95A T-MAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT85GR120JD60

APT85GR120JD60

Beschreibung: IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT84M50B2

APT84M50B2

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 84A T-MAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT94N65B2C3G

APT94N65B2C3G

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 94A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig

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