APT94N65B2C6

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Spezifikation

Artikelnummer

APT94N65B2C6
Hersteller / Marke

Microsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 650V 95A T-MAX
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.APT94N65B2C6.pdf
2.APT94N65B2C6.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3.5V @ 3.5mA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

T-MAX™ [B2]
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

35 mOhm @ 35.2A, 10V
Verlustleistung (max)

833W (Tc)
Verpackung

Bulk
Verpackung / Gehäuse

TO-247-3 Variant
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

18 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

8140pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

320nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

Super Junction
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

650V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 650V 95A (Tc) 833W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

95A (Tc)

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Das Folgende sind "APT94N65B2C6" -Einziper.

APT90DR160HJ

Beschreibung: DIODE MODULE 1.6V SOT227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

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