Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-IGBTs-Module > APT85GR120J
Online-Anfrage
Deutsch
6275259APT85GR120J-Bild.Microsemi

APT85GR120J

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
1+
$35.54
10+
$32.871
30+
$30.205
100+
$28.073
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    APT85GR120J
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    1200V
  • VCE (on) (Max) @ Vge, Ic
    3.2V @ 15V, 85A
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOT-227
  • Serie
    -
  • Leistung - max
    543W
  • Verpackung / Gehäuse
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • NTC-Thermistor
    No
  • Befestigungsart
    Chassis Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    17 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingangskapazität (Cíes) @ VCE
    8.4nF @ 25V
  • Eingang
    Standard
  • IGBT-Typ
    NPT
  • detaillierte Beschreibung
    IGBT Module NPT Single 1200V 116A 543W Chassis Mount SOT-227
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    1mA
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    116A
  • Konfiguration
    Single
APT84M50L

APT84M50L

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 84A TO-264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT84F50B2

APT84F50B2

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 84A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT85GR120B2

APT85GR120B2

Beschreibung: IGBT 1200V 170A 962W TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT80SM120J

APT80SM120J

Beschreibung: POWER MOSFET - SIC

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT84M50B2

APT84M50B2

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 84A T-MAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT95GR65B2

APT95GR65B2

Beschreibung: IGBT 650V 208A 892W T-MAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT85GR120L

APT85GR120L

Beschreibung: IGBT 1200V 170A 962W TO264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT94N60L2C3G

APT94N60L2C3G

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 94A TO264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT80M60J

APT80M60J

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT84F50L

APT84F50L

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 84A TO-264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT94N65B2C6

APT94N65B2C6

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 95A T-MAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT80SM120S

APT80SM120S

Beschreibung: POWER MOSFET - SIC

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT8M80K

APT8M80K

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 8A TO-220

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT90DR160HJ

APT90DR160HJ

Beschreibung: DIODE MODULE 1.6V SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT94N65B2C3G

APT94N65B2C3G

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 94A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT85GR120JD60

APT85GR120JD60

Beschreibung: IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT8DQ60KCTG

APT8DQ60KCTG

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 600V 8A TO220

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT80GP60J

APT80GP60J

Beschreibung: IGBT 600V 151A 462W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT80SM120B

APT80SM120B

Beschreibung: POWER MOSFET - SIC

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT8M100B

APT8M100B

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig

Review (1)

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden