Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-IGBTs-Einzel > APT95GR65B2
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
1882610APT95GR65B2-Bild.Microsemi

APT95GR65B2

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
1+
$11.30
10+
$10.169
30+
$9.265
120+
$8.361
270+
$7.683
510+
$7.005
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    APT95GR65B2
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IGBT 650V 208A 892W T-MAX
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    650V
  • VCE (on) (Max) @ Vge, Ic
    2.4V @ 15V, 95A
  • Testbedingung
    433V, 95A, 4.3 Ohm, 15V
  • Td (ein / aus) bei 25 ° C
    29ns/226ns
  • Schaltenergie
    3.12mJ (on), 2.55mJ (off)
  • Supplier Device-Gehäuse
    T-MAX™ [B2]
  • Serie
    -
  • Leistung - max
    892W
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-247-3
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    28 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabetyp
    Standard
  • IGBT-Typ
    NPT
  • Gate-Ladung
    420nC
  • detaillierte Beschreibung
    IGBT NPT 650V 208A 892W Through Hole T-MAX™ [B2]
  • Strom - Collector Pulsed (Icm)
    400A
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    208A
APTB1612LQBDCGKC

APTB1612LQBDCGKC

Beschreibung: LED BLUE/GREEN CLEAR 4SMD

Hersteller: Kingbright
vorrätig
APT90DR160HJ

APT90DR160HJ

Beschreibung: DIODE MODULE 1.6V SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APTB1612ESGC-F01

APTB1612ESGC-F01

Beschreibung:

Hersteller: Kingbright
vorrätig
APT85GR120L

APT85GR120L

Beschreibung: IGBT 1200V 170A 962W TO264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT95GR65JDU60

APT95GR65JDU60

Beschreibung: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT94N60L2C3G

APT94N60L2C3G

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 94A TO264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT94N65B2C6

APT94N65B2C6

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 95A T-MAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT85GR120JD60

APT85GR120JD60

Beschreibung: IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT97N65LC6

APT97N65LC6

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 97A TO-264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT9F100S

APT9F100S

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 9A D3PAK

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APTB1612LSURKQBDC

APTB1612LSURKQBDC

Beschreibung: LED BLUE/RED CLEAR 4SMD

Hersteller: Kingbright
vorrätig
APT9F100B

APT9F100B

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT8M80K

APT8M80K

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 8A TO-220

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT85GR120J

APT85GR120J

Beschreibung: IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APTB1612LSURKCGKC

APTB1612LSURKCGKC

Beschreibung: LED GREEN/RED CLEAR 4SMD

Hersteller: Kingbright
vorrätig
APT94N65B2C3G

APT94N65B2C3G

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 94A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APTB1612LSURKSYKC

APTB1612LSURKSYKC

Beschreibung: LED RED/YELLOW CLEAR 4SMD

Hersteller: Kingbright
vorrätig
APT8DQ60KCTG

APT8DQ60KCTG

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 600V 8A TO220

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT9M100B

APT9M100B

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT8M100B

APT8M100B

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden