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APT84F50B2

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    APT84F50B2
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 500V 84A TO-247
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5V @ 2.5mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    T-MAX™ [B2]
  • Serie
    POWER MOS 8™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    65 mOhm @ 42A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    1135W (Tc)
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-247-3 Variant
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    13500pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    340nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    500V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 500V 84A (Tc) 1135W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    84A (Tc)
APT85GR120JD60

APT85GR120JD60

Beschreibung: IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT80F60J

APT80F60J

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT80GP60J

APT80GP60J

Beschreibung: IGBT 600V 151A 462W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT85GR120L

APT85GR120L

Beschreibung: IGBT 1200V 170A 962W TO264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT85GR120J

APT85GR120J

Beschreibung: IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT80SM120S

APT80SM120S

Beschreibung: POWER MOSFET - SIC

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT80SM120B

APT80SM120B

Beschreibung: POWER MOSFET - SIC

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT8DQ60KCTG

APT8DQ60KCTG

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 600V 8A TO220

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT80GA60LD40

APT80GA60LD40

Beschreibung: IGBT 600V 143A 625W TO264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT8M80K

APT8M80K

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 8A TO-220

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT8M100B

APT8M100B

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT80GA90B

APT80GA90B

Beschreibung: IGBT 900V 145A 625W TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT84M50B2

APT84M50B2

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 84A T-MAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT85GR120B2

APT85GR120B2

Beschreibung: IGBT 1200V 170A 962W TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT80GA90LD40

APT80GA90LD40

Beschreibung: IGBT 900V 145A 625W TO-264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT80GA60B

APT80GA60B

Beschreibung: IGBT 600V 143A 625W TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT84M50L

APT84M50L

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 84A TO-264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT84F50L

APT84F50L

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 84A TO-264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT80SM120J

APT80SM120J

Beschreibung: POWER MOSFET - SIC

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vorrätig
APT80M60J

APT80M60J

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227

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