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APT90DR160HJ

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    APT90DR160HJ
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE MODULE 1.6V SOT227
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Spitzensperr- (max)
    1.6kV
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.3V @ 90A
  • Technologie
    Standard
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOT-227
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Chassis Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    32 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Single Phase
  • detaillierte Beschreibung
    Bridge Rectifier Single Phase Standard 1.6kV Chassis Mount SOT-227
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    50µA @ 1600V
APT8M100B

APT8M100B

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT94N65B2C3G

APT94N65B2C3G

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 94A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT8DQ60KCTG

APT8DQ60KCTG

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 600V 8A TO220

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT85GR120JD60

APT85GR120JD60

Beschreibung: IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT84M50B2

APT84M50B2

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 84A T-MAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT8M80K

APT8M80K

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 8A TO-220

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT97N65LC6

APT97N65LC6

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 97A TO-264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT94N60L2C3G

APT94N60L2C3G

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 94A TO264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT9M100B

APT9M100B

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT95GR65JDU60

APT95GR65JDU60

Beschreibung: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT95GR65B2

APT95GR65B2

Beschreibung: IGBT 650V 208A 892W T-MAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT85GR120B2

APT85GR120B2

Beschreibung: IGBT 1200V 170A 962W TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APTB1612ESGC-F01

APTB1612ESGC-F01

Beschreibung:

Hersteller: Kingbright
vorrätig
APT94N65B2C6

APT94N65B2C6

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 95A T-MAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT9F100S

APT9F100S

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 9A D3PAK

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT84F50L

APT84F50L

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 84A TO-264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT85GR120J

APT85GR120J

Beschreibung: IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT84M50L

APT84M50L

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 84A TO-264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT9F100B

APT9F100B

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT85GR120L

APT85GR120L

Beschreibung: IGBT 1200V 170A 962W TO264

Hersteller: Microsemi
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