SISB46DN-T1-GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SISB46DN-T1-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET 2N-CH 40V POWERPAK 1212-8
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SISB46DN-T1-GE3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse

PowerPAK® 1212-8 Dual
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

11.71 mOhm @ 5A, 10V
Leistung - max

23W
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

PowerPAK® 1212-8 Dual
Andere Namen

SISB46DN-T1-GE3TR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1100pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 4.5V
Typ FET

2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal

Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)

40V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 34A (Tc) 23W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

34A (Tc)

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Das Folgende sind "SISB46DN-T1-GE3" -Einziper.

SISA96DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 16A POWERPAK1212

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SISB46DN-T1-GE3

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