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SISH106DN-T1-GE3

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    SISH106DN-T1-GE3
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    PowerPAK® 1212-8SH
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    6.2 mOhm @ 19.5A, 4.5V
  • Verlustleistung (max)
    1.5W (Ta)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    PowerPAK® 1212-8SH
  • Andere Namen
    SISH106DN-T1-GE3TR
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    42 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    27nC @ 4.5V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 4.5V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    20V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 20V 12.5A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8SH
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    12.5A (Ta)
SISS10DN-T1-GE3

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Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 1212-8S

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SISC624P06X3MA1

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SISF00DN-T1-GE3

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SISH129DN-T1-GE3

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Beschreibung: MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SISNAP915DK

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SISH402DN-T1-GE3

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Beschreibung: MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK 1212-

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SISH617DN-T1-GE3

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Beschreibung: MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SISH434DN-T1-GE3

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Beschreibung: MOSFET N-CHAN 40V PPAK 1212-8SH

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SISH410DN-T1-GE3

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Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SISNAP915EK

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Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
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