Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > SISC050N10DX1SA1
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
2973059

SISC050N10DX1SA1

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
150640+
$0.281
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    SISC050N10DX1SA1
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CHAN SAWED WAFER
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • ECAD -Modell
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Serie
    -
  • Andere Namen
    SISC0,50N10D
    SISC0,50N10D-ND
    SISC0,50N10DIN
    SISC0,50N10DIN-ND
    SISC050N10D
    SISC050N10DIN-ND
    SISC050N10DXJSA1
    SISC050N10DXJSA1-ND
    SISC5N1DX1SA1
    SISC5N1DX1SA1-ND
    SP000016327
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Typ FET
    N-Channel
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel
SISC185N06LX1SA1

SISC185N06LX1SA1

Beschreibung: TRANSISTOR P-CH BARE DIE

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
SISA18DN-T1-GE3

SISA18DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SISF00DN-T1-GE3

SISF00DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAK 12

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SISB46DN-T1-GE3

SISB46DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 40V POWERPAK 1212-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SISA72DN-T1-GE3

SISA72DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAK1212

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SISA66DN-T1-GE3

SISA66DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 40A POWERPAK1212

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SISC262SN06LX1SA1

SISC262SN06LX1SA1

Beschreibung: TRANSISTOR P-CH BARE DIE

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
SISC624P06X3MA1

SISC624P06X3MA1

Beschreibung: SMALL SIGNAL+P-CH

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
SISH129DN-T1-GE3

SISH129DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SISA34DN-T1-GE3

SISA34DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 40A POWERPAK1212

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SISH106DN-T1-GE3

SISH106DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SISA26DN-T1-GE3

SISA26DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAK1212

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SISC097N24DX1SA1

SISC097N24DX1SA1

Beschreibung: TRANSISTOR P-CH BARE DIE

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
SISH402DN-T1-GE3

SISH402DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK 1212-

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SISA18ADN-T1-GE3

SISA18ADN-T1-GE3

Beschreibung:

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SISA24DN-T1-GE3

SISA24DN-T1-GE3

Beschreibung:

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SISC06DN-T1-GE3

SISC06DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SISA96DN-T1-GE3

SISA96DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 16A POWERPAK1212

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SISC29N20DX1SA1

SISC29N20DX1SA1

Beschreibung: TRANSISTOR P-CH BARE DIE

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
SISA16DN-T1-GE3

SISA16DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V D-S PPAK 1212-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig

Review (1)

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden