Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > SISC262SN06LX1SA1
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
4333662

SISC262SN06LX1SA1

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
53360+
$0.267
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    SISC262SN06LX1SA1
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TRANSISTOR P-CH BARE DIE
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • ECAD -Modell
  • Serie
    *
  • Andere Namen
    SP000017207
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    2 (1 Year)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
SISH402DN-T1-GE3

SISH402DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK 1212-

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SISC06DN-T1-GE3

SISC06DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SISA26DN-T1-GE3

SISA26DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAK1212

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SISH410DN-T1-GE3

SISH410DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SISH434DN-T1-GE3

SISH434DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CHAN 40V PPAK 1212-8SH

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SISH106DN-T1-GE3

SISH106DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SISF00DN-T1-GE3

SISF00DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAK 12

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SISA66DN-T1-GE3

SISA66DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 40A POWERPAK1212

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SISC624P06X3MA1

SISC624P06X3MA1

Beschreibung: SMALL SIGNAL+P-CH

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
SISC097N24DX1SA1

SISC097N24DX1SA1

Beschreibung: TRANSISTOR P-CH BARE DIE

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
SISC29N20DX1SA1

SISC29N20DX1SA1

Beschreibung: TRANSISTOR P-CH BARE DIE

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
SISC050N10DX1SA1

SISC050N10DX1SA1

Beschreibung: MOSFET N-CHAN SAWED WAFER

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
SISA72DN-T1-GE3

SISA72DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAK1212

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SISH129DN-T1-GE3

SISH129DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SISA34DN-T1-GE3

SISA34DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 40A POWERPAK1212

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SISNAP915DK

SISNAP915DK

Beschreibung: RF EVAL 915MHZ SYNAPSE DEV KIT

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
SISB46DN-T1-GE3

SISB46DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 40V POWERPAK 1212-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SISH617DN-T1-GE3

SISH617DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SISC185N06LX1SA1

SISC185N06LX1SA1

Beschreibung: TRANSISTOR P-CH BARE DIE

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
SISA96DN-T1-GE3

SISA96DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 16A POWERPAK1212

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden