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DMN16M9UCA6-7

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3000+

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Spezifikation

Artikelnummer

DMN16M9UCA6-7
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN2718-6
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

DMN16M9UCA6-7.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1.3V @ 1mA
Supplier Device-Gehäuse

X3-DSN2718-6
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

-
Leistung - max

2.4W
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

6-SMD, No Lead
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Hersteller Standard Vorlaufzeit

20 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2360pF @ 6V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

35.2nC @ 4.5V
Typ FET

2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal

Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)

-
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 2.4W Surface Mount X3-DSN2718-6
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

-

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Das Folgende sind "DMN16M9UCA6-7" -Einziper.

DMN1260UFA-7B

Beschreibung: MOSFET N-CH 12V 0.5A X2DFN-3

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN16M9UCA6-7

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