TSM2NB65CH X0G

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Spezifikation

Artikelnummer

TSM2NB65CH X0G
Hersteller / Marke

Taiwan Semiconductor
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CHANNEL 650V 2A TO251
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

TSM2NB65CH X0G.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-251 (IPAK)
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

5 Ohm @ 1A, 10V
Verlustleistung (max)

65W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-251-3 Stub Leads, IPak
Andere Namen

TSM2NB65CH X0G-ND
TSM2NB65CHX0G
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

390pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

650V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 650V 2A (Tc) 65W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

2A (Tc)

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Das Folgende sind "TSM2NB65CH X0G" -Einziper.

TSM2N100CP ROG

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 1.85A TO252

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

TSM2NB65CH X0G

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