TSM320N03CX RFG

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Spezifikation

Artikelnummer

TSM320N03CX RFG
Hersteller / Marke

Taiwan Semiconductor
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CHANNEL 30V 5.5A SOT23
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

TSM320N03CX RFG.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

SOT-23
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

32 mOhm @ 4A, 4.5V
Verlustleistung (max)

1.8W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Andere Namen

TSM320N03CX RFGTR
TSM320N03CX RFGTR-ND
TSM320N03CXRFGTR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

28 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

792pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.9nC @ 4.5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 5.5A (Tc) 1.8W (Tc) Surface Mount SOT-23
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

5.5A (Tc)

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Das Folgende sind "TSM320N03CX RFG" -Einziper.

TSM2NB60CH C5G

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 600V 2A TO251

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

TSM320N03CX RFG

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