TSM301K12CQ RFG

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Spezifikation

Artikelnummer

TSM301K12CQ RFG
Hersteller / Marke

Taiwan Semiconductor
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-TDFN
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

TSM301K12CQ RFG.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

500mV @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

6-TDFN (2x2)
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

94 mOhm @ 2.8A, 4.5V
Verlustleistung (max)

6.5W (Tc)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

6-VDFN Exposed Pad
Andere Namen

TSM301K12CQ RFGCT
TSM301K12CQ RFGCT-ND
TSM301K12CQRFGCT
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

52 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5.2pF @ 6V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.5nC @ 4.5V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 20V 4.5A (Ta) 6.5W (Tc) Surface Mount 6-TDFN (2x2)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

4.5A (Ta)

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Das Folgende sind "TSM301K12CQ RFG" -Einziper.

TSM35N10CP ROG

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 100V 32A TO252

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

TSM301K12CQ RFG

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