3692025

TSM2N100CP ROG

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Spezifikation

Artikelnummer

TSM2N100CP ROG
Hersteller / Marke

Taiwan Semiconductor
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 1000V 1.85A TO252
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

TSM2N100CP ROG.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

5.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-252, (D-Pak)
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.5 Ohm @ 900mA, 10V
Verlustleistung (max)

77W (Tc)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen

TSM2N100CP ROGCT
TSM2N100CP ROGCT-ND
TSM2N100CPROGCT
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

52 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

625pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

1000V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 1000V 1.85A (Tc) 77W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

1.85A (Tc)

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Das Folgende sind "TSM2N100CP ROG" -Einziper.

TSM2N60ECH C5G

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 600V 2A TO251

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

TSM2N100CP ROG

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