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6007052APT100GF60JU2-Bild.Microsemi

APT100GF60JU2

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    APT100GF60JU2
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IGBT 600V 120A 416W SOT227
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    600V
  • VCE (on) (Max) @ Vge, Ic
    2.5V @ 15V, 100A
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOT-227
  • Serie
    -
  • Leistung - max
    416W
  • Verpackung / Gehäuse
    ISOTOP
  • Andere Namen
    APT100GF60JU2MI
    APT100GF60JU2MI-ND
  • Betriebstemperatur
    -
  • NTC-Thermistor
    Yes
  • Befestigungsart
    Chassis Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingangskapazität (Cíes) @ VCE
    12.3nF @ 25V
  • Eingang
    Standard
  • IGBT-Typ
    NPT
  • detaillierte Beschreibung
    IGBT Module NPT Single 600V 120A 416W Chassis Mount SOT-227
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    250µA
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    120A
  • Konfiguration
    Single
APT100GN60LDQ4G

APT100GN60LDQ4G

Beschreibung: IGBT 600V 229A 625W TO264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT100DL60BG

APT100DL60BG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 100A TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT10078SLLG

APT10078SLLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT100DL60HJ

APT100DL60HJ

Beschreibung: MOD DIODE 600V SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT100GT120JU2

APT100GT120JU2

Beschreibung: IGBT 1200V 140A 480W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT100F50J

APT100F50J

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 103A SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT10078BLLG

APT10078BLLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT100GF60JU3

APT100GF60JU3

Beschreibung: IGBT 600V 120A 416W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT10045JLL

APT10045JLL

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT100GN120B2G

APT100GN120B2G

Beschreibung: IGBT 1200V 245A 960W TMAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT100GN120JDQ4

APT100GN120JDQ4

Beschreibung: IGBT 1200V 153A 446W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT10090BLLG

APT10090BLLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT100GN60B2G

APT100GN60B2G

Beschreibung: IGBT 600V 229A 625W TMAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT10090BFLLG

APT10090BFLLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
APT10045B2LLG

APT10045B2LLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 23A T-MAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT100GT120JR

APT100GT120JR

Beschreibung: IGBT 1200V 123A 570W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT100GT120JRDQ4

APT100GT120JRDQ4

Beschreibung: IGBT 1200V 123A 570W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT100GLQ65JU2

APT100GLQ65JU2

Beschreibung: POWER MODULE - IGBT

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT1003RKLLG

APT1003RKLLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT100GN120J

APT100GN120J

Beschreibung: IGBT 1200V 153A 446W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig

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