419067

APT10045B2LLG

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Spezifikation

Artikelnummer

APT10045B2LLG
Hersteller / Marke

Microsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 1000V 23A T-MAX
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.APT10045B2LLG.pdf
2.APT10045B2LLG.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

T-MAX™ [B2]
Serie

POWER MOS 7®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

450 mOhm @ 11.5A, 10V
Verlustleistung (max)

565W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-247-3 Variant
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4350pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

154nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

1000V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 1000V 23A (Tc) 565W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

23A (Tc)

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Das Folgende sind "APT10045B2LLG" -Einziper.

APT100DL60HJ

Beschreibung: MOD DIODE 600V SOT-227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT10045B2LLG

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