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APT100DL60BG

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    APT100DL60BG
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 600V 100A TO247
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.6V @ 100A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    600V
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-247
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-247-2
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 175°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    18 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 600V 100A Through Hole TO-247
  • Strom - Richt (Io)
    100A
  • Kapazität @ Vr, F
    -
APT1003RBLLG

APT1003RBLLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT10090BFLLG

APT10090BFLLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
APT100GN60LDQ4G

APT100GN60LDQ4G

Beschreibung: IGBT 600V 229A 625W TO264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT10045B2LLG

APT10045B2LLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 23A T-MAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT100GN120B2G

APT100GN120B2G

Beschreibung: IGBT 1200V 245A 960W TMAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT10035LLLG

APT10035LLLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 28A TO-264

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
APT100GF60JU2

APT100GF60JU2

Beschreibung: IGBT 600V 120A 416W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT100GLQ65JU2

APT100GLQ65JU2

Beschreibung: POWER MODULE - IGBT

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT1003RKLLG

APT1003RKLLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT100GN120JDQ4

APT100GN120JDQ4

Beschreibung: IGBT 1200V 153A 446W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT100GN60B2G

APT100GN60B2G

Beschreibung: IGBT 600V 229A 625W TMAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT100DL60HJ

APT100DL60HJ

Beschreibung: MOD DIODE 600V SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT10078BLLG

APT10078BLLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT10045JLL

APT10045JLL

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT10078SLLG

APT10078SLLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT10035JLL

APT10035JLL

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT10090BLLG

APT10090BLLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT100GN120J

APT100GN120J

Beschreibung: IGBT 1200V 153A 446W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT100F50J

APT100F50J

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 103A SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT100GF60JU3

APT100GF60JU3

Beschreibung: IGBT 600V 120A 416W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig

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