Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > APT10090BFLLG
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
5881699APT10090BFLLG-Bild.Microsemi Corporation

APT10090BFLLG

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
1+
$17.20
10+
$15.635
100+
$13.29
250+
$12.117
500+
$11.336
1000+
$10.398
2500+
$9.968
5000+
$9.694
10000+
$9.381
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    APT10090BFLLG
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Prüfung
    1969pF @ 25V
  • Spannung - Durchschlag
    TO-247 [B]
  • VGS (th) (Max) @ Id
    950 mOhm @ 6A, 10V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Serie
    POWER MOS 7®
  • RoHS Status
    Tube
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    12A (Tc)
  • Polarisation
    TO-247-3
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller-Teilenummer
    APT10090BFLLG
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    71nC @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    5V @ 1mA
  • FET-Merkmal
    N-Channel
  • Expanded Beschreibung
    N-Channel 1000V (1kV) 12A (Tc) 298W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    -
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    1000V (1kV)
  • Kapazitätsverhältnis
    298W (Tc)
APT1003RBLLG

APT1003RBLLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT10045JLL

APT10045JLL

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT100GN120B2G

APT100GN120B2G

Beschreibung: IGBT 1200V 245A 960W TMAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT100GF60JU2

APT100GF60JU2

Beschreibung: IGBT 600V 120A 416W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT100DL60BG

APT100DL60BG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 100A TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT100GF60JU3

APT100GF60JU3

Beschreibung: IGBT 600V 120A 416W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT10035B2FLLG

APT10035B2FLLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
APT100F50J

APT100F50J

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 103A SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT100DL60HJ

APT100DL60HJ

Beschreibung: MOD DIODE 600V SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT100GN120JDQ4

APT100GN120JDQ4

Beschreibung: IGBT 1200V 153A 446W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT100GN120J

APT100GN120J

Beschreibung: IGBT 1200V 153A 446W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT10035JLL

APT10035JLL

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT10035LLLG

APT10035LLLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 28A TO-264

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
APT10045B2LLG

APT10045B2LLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 23A T-MAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT100GLQ65JU2

APT100GLQ65JU2

Beschreibung: POWER MODULE - IGBT

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT10078BLLG

APT10078BLLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT10090BLLG

APT10090BLLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT10035B2LLG

APT10035B2LLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT1003RKLLG

APT1003RKLLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT10078SLLG

APT10078SLLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK

Hersteller: Microsemi
vorrätig

Review (1)

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden