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APT10045JLL

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    APT10045JLL
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5V @ 2.5mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    ISOTOP®
  • Serie
    POWER MOS 7®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    450 mOhm @ 11.5A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    460W (Tc)
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Chassis Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    19 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    4350pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    154nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    1000V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 1000V 21A (Tc) 460W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    21A (Tc)
APT10021JFLL

APT10021JFLL

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT1003RBLLG

APT1003RBLLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT10078SLLG

APT10078SLLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT10035B2LLG

APT10035B2LLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT100F50J

APT100F50J

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 103A SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT10035B2FLLG

APT10035B2FLLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
APT10090BFLLG

APT10090BFLLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
APT100GF60JU3

APT100GF60JU3

Beschreibung: IGBT 600V 120A 416W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT10035JLL

APT10035JLL

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT1003RKLLG

APT1003RKLLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT10035LLLG

APT10035LLLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 28A TO-264

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
APT100DL60BG

APT100DL60BG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 100A TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT100GLQ65JU2

APT100GLQ65JU2

Beschreibung: POWER MODULE - IGBT

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT10090BLLG

APT10090BLLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT100DL60HJ

APT100DL60HJ

Beschreibung: MOD DIODE 600V SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT10078BLLG

APT10078BLLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT100GF60JU2

APT100GF60JU2

Beschreibung: IGBT 600V 120A 416W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT10021JLL

APT10021JLL

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT10045B2LLG

APT10045B2LLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 23A T-MAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT1002RBNG

APT1002RBNG

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 8A TO247AD

Hersteller: Microsemi
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