International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB081N06L3GATMA1

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Spezifikation

Artikelnummer

IPB081N06L3GATMA1
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IPB081N06L3GATMA1.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.2V @ 34µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

D²PAK (TO-263AB)
Serie

OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.1 mOhm @ 50A, 10V
Verlustleistung (max)

79W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Andere Namen

IPB081N06L3 G
IPB081N06L3 G-ND
IPB081N06L3 GTR-ND
IPB081N06L3G
IPB081N06L3GATMA1TR
SP000398076
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4900pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

29nC @ 4.5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 60V 50A (Tc) 79W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

50A (Tc)

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Das Folgende sind "IPB081N06L3GATMA1" -Einziper.

IPB097N08N3 G

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 70A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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