International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB09N03LA

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Spezifikation

Artikelnummer

IPB09N03LA
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS nicht konform
Datenblätte

IPB09N03LA.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2V @ 20µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PG-TO263-3-2
Serie

OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.9 mOhm @ 30A, 10V
Verlustleistung (max)

63W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Andere Namen

IPB09N03LAINTR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS non-compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1642pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

25V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 25V 50A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

50A (Tc)

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Das Folgende sind "IPB09N03LA" -Einziper.

IPB100N06S205ATMA4

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IPB09N03LA

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