International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB08CNE8N G

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Spezifikation

Artikelnummer

IPB08CNE8N G
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 85V 95A TO263-3
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IPB08CNE8N G.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 130µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

D²PAK (TO-263AB)
Serie

OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.2 mOhm @ 95A, 10V
Verlustleistung (max)

167W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Andere Namen

IPB08CNE8N G-ND
IPB08CNE8NG
SP000096449
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6690pF @ 40V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

99nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

85V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 85V 95A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

95A (Tc)

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Das Folgende sind "IPB08CNE8N G" -Einziper.

IPB073N15N5ATMA1

Beschreibung: MV POWER MOS

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IPB08CNE8N G

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