International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB070N06L G

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Spezifikation

Artikelnummer

IPB070N06L G
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 60V 80A TO-263
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IPB070N06L G.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2V @ 150µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

D²PAK (TO-263AB)
Serie

OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.7 mOhm @ 80A, 10V
Verlustleistung (max)

214W (Tc)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Andere Namen

IPB070N06LG
IPB070N06LGINCT
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4300pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

126nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 60V 80A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

80A (Tc)

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Das Folgende sind "IPB070N06L G" -Einziper.

IPB075N04LGATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 50A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IPB070N06L G

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