International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB093N04LGATMA1

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Spezifikation

Artikelnummer

IPB093N04LGATMA1
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 40V 50A TO263-3
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IPB093N04LGATMA1.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2V @ 16µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

D²PAK (TO-263AB)
Serie

OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.3 mOhm @ 50A, 10V
Verlustleistung (max)

47W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Andere Namen

IPB093N04L G
IPB093N04L G-ND
IPB093N04L GTR-ND
IPB093N04LGATMA1TR
SP000387937
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2100pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

28nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

40V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 40V 50A (Tc) 47W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

50A (Tc)

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Das Folgende sind "IPB093N04LGATMA1" -Einziper.

IPB081N06L3GATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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