TSM260P02CX6 RFG

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Spezifikation

Artikelnummer

TSM260P02CX6 RFG
Hersteller / Marke

Taiwan Semiconductor
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CHANNEL 20V 6.5A SOT26
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

TSM260P02CX6 RFG.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±10V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

SOT-26
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

26 mOhm @ 5A, 4.5V
Verlustleistung (max)

1.56W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SOT-23-6
Andere Namen

TSM260P02CX6 RFGTR
TSM260P02CX6 RFGTR-ND
TSM260P02CX6RFGTR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

36 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1670pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

19.5nC @ 4.5V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 20V 6.5A (Tc) 1.56W (Tc) Surface Mount SOT-26
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

6.5A (Tc)

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Das Folgende sind "TSM260P02CX6 RFG" -Einziper.

TSM2N100CH C5G

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 1.85A TO251

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

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