TSM250N02DCQ RFG

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Spezifikation

Artikelnummer

TSM250N02DCQ RFG
Hersteller / Marke

Taiwan Semiconductor
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET 2 N-CH 20V 5.8A 6TDFN
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

TSM250N02DCQ RFG.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

800mV @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse

6-TDFN (2x2)
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

25 mOhm @ 4A, 4.5V
Leistung - max

620mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

6-VDFN Exposed Pad
Andere Namen

TSM250N02DCQ RFGTR
TSM250N02DCQ RFGTR-ND
TSM250N02DCQRFGTR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

28 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

775pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.7nC @ 4.5V
Typ FET

2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal

Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 5.8A (Tc) 620mW Surface Mount 6-TDFN (2x2)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

5.8A (Tc)

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Das Folgende sind "TSM250N02DCQ RFG" -Einziper.

TSM2311CX RFG

Beschreibung: MOSFET P-CHANNEL 20V 4A SOT23

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

TSM250N02DCQ RFG

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