TSM180P03CS RLG

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Spezifikation

Artikelnummer

TSM180P03CS RLG
Hersteller / Marke

Taiwan Semiconductor
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CHANNEL 30V 10A 8SOP
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

TSM180P03CS RLG.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

8-SOP
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

18 mOhm @ 8A, 10V
Verlustleistung (max)

2.5W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen

TSM180P03CS RLGTR
TSM180P03CS RLGTR-ND
TSM180P03CSRLGTR
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

30 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1730pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

23nC @ 4.5V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 30V 10A (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount 8-SOP
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

10A (Tc)

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Das Folgende sind "TSM180P03CS RLG" -Einziper.

TSM1N80CW RPG

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 300MA SOT223

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

TSM180P03CS RLG

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