TSM1NB60CH C5G

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Spezifikation

Artikelnummer

TSM1NB60CH C5G
Hersteller / Marke

Taiwan Semiconductor
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CHANNEL 600V 1A TO251
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

TSM1NB60CH C5G.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-251 (IPAK)
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

10 Ohm @ 500mA, 10V
Verlustleistung (max)

39W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Andere Namen

TSM1NB60CH C5G-ND
TSM1NB60CHC5G
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

52 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

138pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.1nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

600V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 600V 1A (Tc) 39W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

1A (Tc)

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Das Folgende sind "TSM1NB60CH C5G" -Einziper.

TSM1N45DCS RLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 450V 500MA 8SOP

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

TSM1NB60CH C5G

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