TSM160P02CS RLG

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Spezifikation

Artikelnummer

TSM160P02CS RLG
Hersteller / Marke

Taiwan Semiconductor
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CHANNEL 20V 11A 8SOP
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

TSM160P02CS RLG.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±10V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

8-SOP
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

16 mOhm @ 6A, 4.5V
Verlustleistung (max)

2.5W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen

TSM160P02CS RLGTR
TSM160P02CS RLGTR-ND
TSM160P02CSRLGTR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

30 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2320pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 4.5V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 20V 11A (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount 8-SOP
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

11A (Tc)

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Das Folgende sind "TSM160P02CS RLG" -Einziper.

TSM180N03PQ33 RGG

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 25A 8PDFN

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

TSM160P02CS RLG

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