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6A80G R0G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    6A80G R0G
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 800V 6A R-6
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1V @ 6A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    800V
  • Supplier Device-Gehäuse
    R-6
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    R6, Axial
  • Andere Namen
    6A80G R0G-ND
    6A80GR0G
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    12 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 800V 6A Through Hole R-6
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    10µA @ 800V
  • Strom - Richt (Io)
    6A
  • Kapazität @ Vr, F
    60pF @ 4V, 1MHz
6A8-T

6A8-T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 6A R6

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
6A80GHR0G

6A80GHR0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 6A R-6

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
6A8-TP

6A8-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 6A R6

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
VS-10ETS12SLHM3

VS-10ETS12SLHM3

Beschreibung: DIODES - D2PAK-E3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
6A8

6A8

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 6A R6

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
S1BHM2G

S1BHM2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
BAS3005A02VH6327XTSA1

BAS3005A02VH6327XTSA1

Beschreibung:

Hersteller: Infineon Technologies
vorrätig
1N4002_NL

1N4002_NL

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO41

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
6A80GHA0G

6A80GHA0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 6A R-6

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
FMB-G24H

FMB-G24H

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 40V 10A TO220F-2L

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.
vorrätig
FMXK-1086S

FMXK-1086S

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220F-2L

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.
vorrätig
MPG06K-E3/73

MPG06K-E3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A MPG06

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
6A80G B0G

6A80G B0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 6A R-6

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
1N5627GP-E3/54

1N5627GP-E3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
6A80GHB0G

6A80GHB0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 6A R-6

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
1N5391G-T

1N5391G-T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1.5A DO15

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
SF67GHR0G

SF67GHR0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 500V 6A DO201AD

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
CS3G-E3/I

CS3G-E3/I

Beschreibung: DIODE GPP 400V 3.0A DO-214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
6A80G A0G

6A80G A0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 6A R-6

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
6A8TA

6A8TA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 6A R-6

Hersteller: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
vorrätig

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