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46574456A8-Bild.Micro Commercial Components (MCC)

6A8

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    6A8
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 800V 6A R6
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    950mV @ 6A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    800V
  • Supplier Device-Gehäuse
    R-6
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    R6, Axial
  • Andere Namen
    6A8MSCT
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 125°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 800V 6A Through Hole R-6
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    10µA @ 800V
  • Strom - Richt (Io)
    6A
  • Kapazität @ Vr, F
    -
  • Basisteilenummer
    6A8
6A80G R0G

6A80G R0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 6A R-6

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
HER602G A0G

HER602G A0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 6A R-6

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
B350B-13

B350B-13

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 50V 3A SMB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
SK115BHM4G

SK115BHM4G

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 150V 1A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
6A80GHA0G

6A80GHA0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 6A R-6

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
MBRH12030

MBRH12030

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 30V 120A D-67

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
CD216A-B120LLF

CD216A-B120LLF

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 20V 1A DO216AA

Hersteller: Bourns, Inc.
vorrätig
ES3GHE3_A/H

ES3GHE3_A/H

Beschreibung:

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
6A80GHB0G

6A80GHB0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 6A R-6

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
6A80GHR0G

6A80GHR0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 6A R-6

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RS1GL MQG

RS1GL MQG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
6A80G A0G

6A80G A0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 6A R-6

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
181NQ035

181NQ035

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 35V 180A HALFPAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RGP20DHE3/54

RGP20DHE3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 2A GP20

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
6A8TA

6A8TA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 6A R-6

Hersteller: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
vorrätig
SS25HE3_A/H

SS25HE3_A/H

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 50V 2A DO214AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
6A80G B0G

6A80G B0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 6A R-6

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
6A8-TP

6A8-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 6A R6

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
6A8-T

6A8-T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 6A R6

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
SK22A M2G

SK22A M2G

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 20V 2A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig

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