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4420826A8TA-Bild.Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions

6A8TA

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    6A8TA
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 800V 6A R-6
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    950mV @ 6A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    800V
  • Supplier Device-Gehäuse
    R-6
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    R6, Axial
  • Andere Namen
    6A8TASMC
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -65°C ~ 175°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    6 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 800V 6A Through Hole R-6
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    10µA @ 800V
  • Strom - Richt (Io)
    6A
  • Kapazität @ Vr, F
    150pF @ 4V, 1MHz
6A8-T

6A8-T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 6A R6

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
6A80G R0G

6A80G R0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 6A R-6

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RU 20AV

RU 20AV

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1.5A AXIAL

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.
vorrätig
6A80G B0G

6A80G B0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 6A R-6

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
MURH7020

MURH7020

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 70A D-67

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
VSSAF5N50-M3/6A

VSSAF5N50-M3/6A

Beschreibung:

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
6A80G A0G

6A80G A0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 6A R-6

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
6A80GHB0G

6A80GHB0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 6A R-6

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
6A80GHR0G

6A80GHR0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 6A R-6

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
SS210LWHRVG

SS210LWHRVG

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 100V 2A SOD123W

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
6A80GHA0G

6A80GHA0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 6A R-6

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
S1BB-13

S1BB-13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A SMB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
6A8

6A8

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 6A R6

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
6A8-TP

6A8-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 6A R6

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
1N4151

1N4151

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
ES2BHE3_A/I

ES2BHE3_A/I

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
MA27D2700L

MA27D2700L

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 20V 100MA

Hersteller: Panasonic
vorrätig
VS-SD1700C30K

VS-SD1700C30K

Beschreibung: DIODE MODULE 3KV 2080A DO200AC

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
SE10PJ-E3/85A

SE10PJ-E3/85A

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO220AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
BYWF29-100HE3/45

BYWF29-100HE3/45

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 8A ITO220AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig

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