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48921651N5627GP-E3/54-Bild.Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5627GP-E3/54

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    1N5627GP-E3/54
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Spitzensperr- (max)
    Standard
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    3A
  • Spannung - Durchschlag
    DO-201AD
  • Serie
    SUPERECTIFIER®
  • RoHS Status
    Cut Tape (CT)
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Widerstand @ If, F
    40pF @ 4V, 1MHz
  • Polarisation
    DO-201AD, Axial
  • Andere Namen
    1N5627GP-E3/54GICT
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    3µs
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller-Teilenummer
    1N5627GP-E3/54
  • Expanded Beschreibung
    Diode Standard 800V 3A Through Hole DO-201AD
  • Diodenkonfiguration
    5µA @ 800V
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    1V @ 3A
  • Strom - Richt (Io) (pro Diode)
    800V
  • Kapazität @ Vr, F
    -65°C ~ 175°C
1N5626-TAP

1N5626-TAP

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 600V 3A SOD64

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
1N5627GP-E3/73

1N5627GP-E3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
1N5632

1N5632

Beschreibung: TVS DIODE

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N5629A

1N5629A

Beschreibung: TVS DIODE 5.8V 10.5V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N5629

1N5629

Beschreibung: TVS DIODE

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N5625GP-E3/54

1N5625GP-E3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
1N5627-TAP

1N5627-TAP

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 800V 3A SOD64

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
1N5625GP-E3/73

1N5625GP-E3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURPOSE DO204AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
1N5626-TR

1N5626-TR

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 600V 3A SOD64

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
1N5627GPHE3/54

1N5627GPHE3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
1N5627-TR

1N5627-TR

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 800V 3A SOD64

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
1N5626GP-E3/54

1N5626GP-E3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
1N5626GP-E3/73

1N5626GP-E3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURPOSE DO204AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
1N5631

1N5631

Beschreibung: TVS DIODE

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N5629

1N5629

Beschreibung: TVS DIODE 5.5V 10.8V DO13

Hersteller: Hamlin / Littelfuse
vorrätig
1N5626GPHE3/54

1N5626GPHE3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
1N5625GPHE3/54

1N5625GPHE3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
1N5631A

1N5631A

Beschreibung: TVS DIODE 7.02V 12.1V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N5630

1N5630

Beschreibung: TVS DIODE

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N5630A

1N5630A

Beschreibung: TVS DIODE 6.4V 11.3V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig

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