APTM120A80FT1G

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Spezifikation

Artikelnummer

APTM120A80FT1G
Hersteller / Marke

Microsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET 2N-CH 1200V 14A SP1
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.APTM120A80FT1G.pdf
2.APTM120A80FT1G.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA
Supplier Device-Gehäuse

SP1
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

960 mOhm @ 12A, 10V
Leistung - max

357W
Verpackung

Bulk
Verpackung / Gehäuse

SP1
Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6696pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

260nC @ 10V
Typ FET

2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Merkmal

Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)

1200V (1.2kV)
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 14A 357W Chassis Mount SP1
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

14A

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Das Folgende sind "APTM120A80FT1G" -Einziper.

APTM10UM02FAG

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 570A SP6

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APTM120A80FT1G

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